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参数目录37363
> FESB8JT-E3/81 DIODE 8A 600V 50NS SGL TO263AB
型号:
FESB8JT-E3/81
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay General Semiconductor
描述:
DIODE 8A 600V 50NS SGL TO263AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
FESB8JT-E3/81 PDF
标准包装
800
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.5V @ 8A
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
10µA @ 600V
电容@ Vr, F
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
带卷 (TR)
查看FESB8JT-E3/81代理商
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